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AO4435中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4435
廠商型號

AO4435

功能描述

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

AO4435

封裝外殼

SOP-8

文件大小

687.18 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-1-27 22:30:00

AO4435規(guī)格書詳情

Description

The uses advanced trench technology

to provide excellent RDS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 2.5V. This

device is suitable for use as a

Battery protection or in other Switching application.

General Features

VDS = -30V I D = -12A

RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=10V

Application

Battery protection

Load switch

Uninterruptible power supply

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4435

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -30V -10.5A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    -

  • 標準包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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