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AO4441中文資料杜因特數據手冊PDF規(guī)格書

AO4441
廠商型號

AO4441
功能描述

P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
文件大小

659.12 Kbytes
頁面數量

4 頁
生產廠商 SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
企業(yè)簡稱

DOINGTER【杜因特】

中文名稱

深圳市杜因特半導體有限公司官網
原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-23 23:15:00
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AO4441規(guī)格書詳情

Description：

This P-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

Features：

1) VDS=-60V,ID=-3.2A,RDS(ON)<105mΩ @VGS=-10V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

產品屬性

  • 型號：

    AO4441

  • 功能描述：

    MOSFET P-CH 60V 4A 8-SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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