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AO4442中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4442
廠商型號

AO4442
功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
文件大小

225.83 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD【萬國半導體】

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-7 23:11:00

AO4442規(guī)格書詳情

General Description

The AO4442 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages from 4.5V to 25V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Standard Product AO4442 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO4442L is a Green Product ordering option. AO4442 and AO4442L are electrically identical.

Features

VDS (V) = 75V

ID = 3.1A (VGS = 10V)

RDS(ON) < 130m? (VGS = 10V)

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    AO4442

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 75V 3.1A 8SOIC

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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