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AO4622中文資料萬國半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

AO4622
廠商型號

AO4622

功能描述

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

189.19 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Alpha & Omega Semiconductors
企業(yè)簡稱

AOSMD萬國半導體

中文名稱

美國萬國半導體官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-21 17:48:00

AO4622規(guī)格書詳情

General Description

The AO4622 uses advanced trench technology MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications.

Product Summary

N-Channel P-Channel

VDS (V) = 20V -20V

ID = 7.3A (VGS=4.5V) -5A (VGS=-4.5V)

RDS(ON) RDS(ON)

< 23m? (VGS=10V) < 53m? (VGS = -4.5V)

< 30m? (VGS=4.5V) < 87m? (VGS = -2.5V)

< 84m? (VGS=2.5V)

100 UIS Tested 100 UIS Tested

100 Rg Tested 100 Rg Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    AO4622

  • 功能描述:

    MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應商設備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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