AO4622中文資料杜因特數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
AO4622規(guī)格書詳情
Description：
This N-Channel and P-Channel MOSFET use advanced trench Technology To provide excellent RDS(ON), low gate charge. This device may be usedto form a level shifted high side switch, and for a host of other application.
Features：
N-Channel:V DS=20V,ID=6.8A,RDS(ON)<17mΩ @VGS=4.5V
P-Channel: V DS=-30V,ID=-5.1A,RDS(ON)<55@VGS=-10
1) Low gate charge.
2) Green device available.
3) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).
4) Excellent package for good heat dissipation.
產(chǎn)品屬性
- 型號：
AO4622
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列
- 系列：
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
8-SOIC Mosfet Package
- 標準包裝：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 個 N 溝道（雙） FET
- 特點：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安裝類型：
表面貼裝
- 封裝/外殼：
PowerPAK? SO-8
- 供應商設(shè)備封裝：
PowerPAK? SO-8
- 包裝：
Digi-Reel®
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS |
24+ |
SOP8 |
9800 |
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨/長期供應! |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
1517PB |
SOP-8 |
169 |
詢價 | |||
AOS |
23+ |
SO-8 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
AO |
24+ |
SOP8 |
7906200 |
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
24+ |
SOP-8 |
498272 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
AOS |
23+ |
NA |
77330 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價 | ||
AOS(萬代) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持 |
詢價 | ||
AOS/萬代 |
22+ |
SOP8 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
AOS(萬代) |
23+ |
標準封裝 |
20000 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
Alpha&Omega |
24+ |
8-SOIC |
7500 |
詢價 |
