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AO4832

Marking:4832;Package:SOP-8;Dual N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832

Marking:4832;Package:SOP-8;Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

RDs(ON)=16mQ@VGS=10V RDS(ON)=20mQ@VGS=4.5V SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRDs(ON) Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent capability

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

AO4832

Marking:AO4832;Package:SOP-8;30V N-Channel MOSFET

ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司

AO4832

Marking:AO4832;Package:SOP-8;30V Dual N-Channel MOSFET

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON)withlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforhighsideswitchinSMPSand generalpurposeapplications. ProductSummary VDS30V ID(atVGS=10V)10A RDS(ON)(atVGS=10V)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

AO4832

Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS=30V,ID=12A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

AO4832

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AO4832

N-Channel 0-V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

AO4832

30V Dual N-Channel MOSFET

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

AO4832-HF

Marking:4832;Package:SOP-8;Dual N-Channel MOSFET

■Features ●VDS(V)=30V ●ID=10A(VGS=10V) ●RDS(ON)

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

AO4832L

Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheAO4832usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.StandardProductAO4832isPb-free(meetsROHS&Sony259sp

AOSMDAlpha & Omega Semiconductors

萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    AO4832

  • 功能描述:

    MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

  • RoHS:

  • 類(lèi)別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個(gè) N 溝道(雙) FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱(chēng):

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
AOS美國(guó)萬(wàn)代
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原裝正品 可含稅交易
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23+
SOP8
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原廠原裝正品
詢價(jià)
更多AO4832供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-28 10:02:00