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AOB7S60L	文件：1.03889 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES ?Reducedtrr,Qrr,andIRRM ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?LowswitchinglossesduetoreducedQrr ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Telecommunications -Serverandtelecompowersupplies ?Light	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOB7S60	文件：299.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOB7S60	文件：1.10574 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOB7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V7AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT7S60&AOB7S60&AOTF7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOD7S60	文件：310.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD7S60	文件：295.33 Kbytes Page：7 Pages	600V7AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOD7S60&AOU7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythes	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V7AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT7S60&AOB7S60&AOTF7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOT7S60	文件：306.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOTF7S60	文件：293.19 Kbytes Page：6 Pages	600V7AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT7S60&AOB7S60&AOTF7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOTF7S60	文件：296.84 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOW7S60	文件：344.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOW7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V7AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW7S60&AOWF7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD
AOWF7S60	文件：276.86 Kbytes Page：6 Pages	600V7AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW7S60&AOWF7S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilitythe	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體美國(guó)萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體	AOSMD

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
AOB7S60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V D2PAK
RoHS：
是
類(lèi)別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
系列：
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
特點(diǎn)：
邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
C：
18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安裝類(lèi)型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3 整包
供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
包裝：
管件

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	AOB7S60L	Alpha & Omega Semiconductor In	24+	TO-263(D2Pak)	30000	晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	AOB7S60L	AOS	24+	TO263	9800	一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!	詢價(jià)
深圳市金華微盛電子有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	2019+	TO263	3470	原廠渠道可含稅出貨	詢價(jià)
深圳市珩瑞科技有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	21+	TO-263	6000	原裝正品	詢價(jià)
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	2021+	TO-263	9000	原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià)	詢價(jià)
深圳市泓利達(dá)微科技有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	24+	TO-263	333888	AOS原廠代理商渠道/優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市恒創(chuàng)達(dá)實(shí)業(yè)有限公司	AOB7S60L	AOS	17+	TO-263	6200	100%原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市百諾芯科技有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	23+	TO-263	24190	原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	22+	TO-263	20000	深圳原裝現(xiàn)貨正品有單價(jià)格可談	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	AOB7S60L	AOS/萬(wàn)代	21+	TO-263	8820	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多AOB7S60L供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-7 22:28:00

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