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APM4030NU	文件：1.11314 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD 杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司	DOINGTER
APT4030	文件：52.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS 400V15.0A0.300? ?FasterSwitching ?LowGateCharge ?100AvalancheTested ?PopularTO-254Package ?Similartothe2N7227,JX2N7227andJV2N7227	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4030AN	文件：310.4 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=17A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4030BN	文件：345.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4030BNR	文件：345.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=18.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=400V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·highvoltage,highspeedpowerswitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4030CN	文件：298 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
APT4030CNR	文件：52.51 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS N-CHANNELENHANCEMENTMODEHIGHVOLTAGEPOWERMOSFETS 400V15.0A0.300? ?FasterSwitching ?LowGateCharge ?100AvalancheTested ?PopularTO-254Package ?Similartothe2N7227,JX2N7227andJV2N7227	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
APT4030DN	文件：332.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=350V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ASPI-4030S	文件：2.22092 Mbytes Page：3 Pages	WireWoundMagneticallyShieldedSMDPowerInductor FEATURES: ?Shieldedmagnetics,lowradiation ?LargeTerminalsurfaceforgoodPCBbonding ?LowDCR,HighEnergystorage,suitableforlargecurrents ?IdealforavarietyofDC-DCconverterinductorapplications APPLICATIONS: ?Partablecommunicationequipment ?OAequipment ?LCD,DVD,	ABRACON Abracon Corporation	ABRACON
AT4030	文件：2.83263 Mbytes Page：20 Pages	StandardSizePushbuttons GeneralSpecifications ElectricalCapacity(ResistiveLoad) PowerLevel(silver):3A@125VACor3A@250VACor3A@30VDC LogicLevel(gold):0.4VAmaximum@28VAC/DCmaximum (ApplicableRange0.1mA~0.1A@20mV~28V) Note:FindadditionalexplanationofoperatingrangeinSupplements	NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd. 恩楷楷恩楷楷(上海)開關(guān)有限公司	NKK
AUIRLS4030	文件：274.36 Kbytes Page：13 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRLS4030	文件：506.83 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLS4030TRL	文件：506.83 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRLSL4030	文件：506.83 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEGRADE	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
B4030	文件：61.58 Kbytes Page：6 Pages	SAWComponentsLow-LossFilter919,55MHz Features ■Low-lossIFfilterforDAB ■Lowinsertionattenuation ■Highimagefrequencysuppression ■Nomatchingnetworkrequiredforoperationat50? ■PackageforSurfaceMountedTechnology(SMT) ■HermeticallysealedceramicSMDpackage	EPCOSepcos 愛普科斯	EPCOS
BU4030B	文件：46.29 Kbytes Page：4 Pages	QuadexclusiveORgate Description BU4001BseriesICsare2-inputpositivelogicNORgates,eachwithfourbuilt-incircuits.Abufferachievedbyaninverteraddedatthegateoutputimprovestheinput/outputpropagationcharacteristicsandminimizesvariationinthepropagationtimecausedbyanincreaseintheloa	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BU4030B	文件：516.74 Kbytes Page：22 Pages	HighVoltageCMOSLogicICs>Gate>	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BU4030B	文件：505.65 Kbytes Page：22 Pages	HighVoltageCMOSLogicICs>Gate>	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BU4030B	文件：585.69 Kbytes Page：16 Pages	Quad2-InputExclusive-ORGate	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
BU4030BF	文件：46.29 Kbytes Page：4 Pages	QuadexclusiveORgate Description BU4001BseriesICsare2-inputpositivelogicNORgates,eachwithfourbuilt-incircuits.Abufferachievedbyaninverteraddedatthegateoutputimprovestheinput/outputpropagationcharacteristicsandminimizesvariationinthepropagationtimecausedbyanincreaseintheloa	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM

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