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APT1001R1BN中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

APT1001R1BN
廠商型號

APT1001R1BN

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

359.41 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-4 14:30:00

APT1001R1BN規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current : ID=10.5A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS=1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.1Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    APT1001R1BN

  • 制造商:

    ADPOW

  • 制造商全稱:

    Advanced Power Technology

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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