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APT1003RKLL

POWERMOS7MOSFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT1003RKLL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT1003RKLL

PowerMOS7isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-Channel

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1003RKLLG

PowerMOS7isanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-Channel

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1003RSFLL

POWERMOS7FREDFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT1003RSLL

POWERMOS7MOSFET

ADPOW

Advanced Power Technology

AQ1003

AQ1003Series-30pF30kVUnidirectionalDiscreteTVS

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

ARJ-1003

GIGABITRJ45LANMAGNETIC

ABRACON

Abracon Corporation

ARX1003

SMALLMICROWAVERELAY

NAISNais(Matsushita Electric Works)

松下電器松下電器機(jī)電(中國)有限公司

ARXP1003

3GHzMICROWAVERELAYWITH60WCARRYINGPOWER

PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下電器

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    APT1003RKFLLG

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列:

    POWER MOS 7®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn):

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    TO-220FP

  • 包裝:

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
APT
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TO-TO-220K
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
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MICROSEMI/美高森美
2022+
TO-220
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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公司只售原裝,支持實(shí)單
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更多APT1003RKFLLG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-17 14:08:00