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APT1201R4SFLLG

POWER MOS 7 R FREDFET

?LowerInputCapacitance ?LowerMillerCapacitance ?LowerGateCharge,Qg ?IncreasedPowerDissipation ?EasierToDrive ?TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1201R4BFLL

POWERMOS7FREDFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT1201R4BFLL

POWERMOS7RFREDFET

?LowerInputCapacitance ?LowerMillerCapacitance ?LowerGateCharge,Qg ?IncreasedPowerDissipation ?EasierToDrive ?TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1201R4BFLL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

APT1201R4BFLLG

POWERMOS7RFREDFET

?LowerInputCapacitance ?LowerMillerCapacitance ?LowerGateCharge,Qg ?IncreasedPowerDissipation ?EasierToDrive ?TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1201R4BFLLG

POWERMOS7FREDFET

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1201R4BLL

PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.

POWERMOS7? PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesalongwit

ADPOW

Advanced Power Technology

APT1201R4SFLL

POWERMOS7RFREDFET

?LowerInputCapacitance ?LowerMillerCapacitance ?LowerGateCharge,Qg ?IncreasedPowerDissipation ?EasierToDrive ?TO-247orSurfaceMountD3PAKPackage

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

APT1201R4SFLL

POWERMOS7FREDFET

ADPOW

Advanced Power Technology

APT1201R4SLL

PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.

POWERMOS7? PowerMOS7TMisanewgenerationoflowloss,highvoltage,N-ChannelenhancementmodepowerMOSFETS.BothconductionandswitchinglossesareaddressedwithPowerMOS7TMbysignificantlyloweringRDS(ON)andQg.PowerMOS7TMcombineslowerconductionandswitchinglossesalongwit

ADPOW

Advanced Power Technology

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    APT1201R4SFLLG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK

  • RoHS：

    是

  • 類(lèi)別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    POWER MOS 7®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門(mén)

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MICROCHIP(美國(guó)微芯)
23+
TO-268
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
 詢(xún)價(jià)
Microch
20+
NA
33560
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票
 詢(xún)價(jià)
Microchip
21+
N/A
15000
只做原裝
 詢(xún)價(jià)
microchip
23+
15420
原包裝原標(biāo)現(xiàn)貨,假一罰十,
 詢(xún)價(jià)
MICROSEMI/美高森美
2023+
8700
原裝現(xiàn)貨
 詢(xún)價(jià)
MICROCHIP/微芯
24+
SMT
18000
誠(chéng)以養(yǎng)德,用芯做事,全新原裝原盒原標(biāo)出貨。
 詢(xún)價(jià)
MICROCHIP(美國(guó)微芯)
23+
TO2683
6000
誠(chéng)信服務(wù)，絕對(duì)原裝原盤(pán)
 詢(xún)價(jià)
24+
N/A
76000
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
 詢(xún)價(jià)
MICROCHIP(美國(guó)微芯)
23+
TO-268
7087
原裝現(xiàn)貨,免費(fèi)送樣,可開(kāi)原型號(hào)稅票。提供技術(shù)支持
 詢(xún)價(jià)
APT
24+
8866
詢(xún)價(jià)
更多APT1201R4SFLLG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-18 16:18:00

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