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APT15GN120KG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APT15GN120KG |
| 參數(shù)屬性 | APT15GN120KG 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 45A 195W TO220 |
| 功能描述 | ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
192.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 23:00:00 |
APT15GN120KG規(guī)格書詳情
Utilizing the latest Field Stop and Trench Gate technologies, these IGBTs have ultra low VCE(ON) and are ideal for low frequency applications that require absolute minimum conduction loss. Easy paralleling is a result of very tight parameter distribution and a slightly positive VCE(ON) temperature coefficient. Low gate charge simplifies gate drive design and minimizes losses.
? 1200V Field Stop
? Trench Gate: Low VCE(on)
? Easy Paralleling
Applications: Welding, Inductive Heating, Solar Inverters, SMPS, Motor drives, UPS
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
APT15GN120KG
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
POWER MOS 7?
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，15A
- 開關(guān)能量：
410μJ（開），950μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
10ns/150ns
- 測試條件：
800V，15A，4.3 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220 [K]
- 描述：
IGBT 1200V 45A 195W TO220
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
NA/ |
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