首頁(yè)>APT25GP120BDQ1G>規(guī)格書(shū)詳情
APT25GP120BDQ1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
APT25GP120BDQ1G |
| 參數(shù)屬性 | APT25GP120BDQ1G 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 1200V 69A 417W TO247 |
| 功能描述 | POWER MOS 7 IGBT |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
209.92 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-30 20:00:00 |
| 人工找貨 | APT25GP120BDQ1G價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
APT25GP120BDQ1G
- 制造商：
Microchip Technology
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
POWER MOS 7?
- 包裝：
管件
- IGBT 類(lèi)型：
PT
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
3.9V @ 15V，25A
- 開(kāi)關(guān)能量：
500μJ（開(kāi)），440μJ（關(guān)）
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
12ns/70ns
- 測(cè)試條件：
600V，25A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247 [B]
- 描述：
IGBT 1200V 69A 417W TO247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi/美高森美 |
25+ |
TO247-3 |
15 |
原裝正品,歡迎來(lái)電咨詢! |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-3P |
3000 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
ADPOW |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
APT |
21+ |
TO-3P |
16 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2023+ |
TO-247 |
3500 |
全新原裝正品,優(yōu)勢(shì)價(jià)格 |
詢價(jià) | ||
APT |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢價(jià) | ||
MICROSEMI |
25+23+ |
TO-247 |
35111 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Microsemi |
23+ |
IGBT |
7750 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
APT |
22+ |
TO-3P |
8200 |
原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)!! |
詢價(jià) | ||
APT |
23+ |
TO-247 |
5000 |
原裝正品實(shí)單必成 |
詢價(jià) |
