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APTGT150DA120D1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
APTGT150DA120D1G |
| 參數(shù)屬性 | APTGT150DA120D1G 封裝/外殼為D1；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：IGBT MODULE 1200V 220A 700W D1 |
| 功能描述 | Boost chopper Trench Field Stop IGBT Power Module |
| 封裝外殼 | D1 |
| 文件大小 |
185.67 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
Microsemi【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-30 16:38:00 |
APTGT150DA120D1G規(guī)格書詳情
APTGT150DA120D1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由美高森美公司制造生產(chǎn)的APTGT150DA120D1G晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
APTGT150DA120D1G
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
散裝
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
單路
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，150A
- 輸入：
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻：
無
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
D1
- 供應(yīng)商器件封裝：
D1
- 描述：
IGBT MODULE 1200V 220A 700W D1
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
APT |
23+ |
150A/1200V/I |
50 |
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