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ASI2307	文件：18.28 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: TheASI2307isDesignedforGeneralPurposeClassCPowerAmplifierApplicationsupto3000MHz. FEATURES: ?PG=9.5dBmin.at7W/2300MHz ?HermeticMicrostripPackage ?Omnigold?MetalizationSystem	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
AUIRFR2307Z	文件：683.76 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
AUIRFR2307Z	文件：4.0903 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307Z	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	UltraLowOn-Resistance	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AUIRFR2307Z	文件：4.111229 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR2307ZTR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
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AUIRFR2307ZTRR	文件：303.75 Kbytes Page：13 Pages	HEXFET?PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
BC2307	文件：1.37643 Mbytes Page：4 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
CDK2307	文件：1.19338 Mbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	CADEKA Cadeka Microcircuits LLC.	CADEKA
CDK2307	文件：908.71 Kbytes Page：16 Pages	Dual,20/40/65/80MSPS,12/13-bitAnalog-to-DigitalConverters	EXARExar Corporation 艾科嘉艾科嘉（杭州）信息技術有限公司	EXAR
CEN2307A	文件：649.55 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307B	文件：485.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEN2307BB	文件：536.15 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.4A,RDS(ON)=70mW@VGS=-10V. RDS(ON)=108mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307	文件：408.44 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307	文件：1.05094 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
CES2307A	文件：430.27 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.2A,RDS(ON)=78mΩ@VGS=-10V. RDS(ON)=120mΩ@VGS=-4.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Lead-freeplating;RoHScompliant.	CETChino-Excel Technology 華瑞華瑞股份有限公司	CET
CES2307A	文件：610.2 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.2A,RDS(ON)=78mW@VGS=-10V. RDS(ON)=120mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CES2307B	文件：500.36 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -30V,-3.7A,RDS(ON)=60mW@VGS=-10V. RDS(ON)=82mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS

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詳細參數

型號：
ASI2307
制造商：
ASI
制造商全稱：
ASI
功能描述：
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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