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ASRD740B	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASS PACKAGE STEP RECOVERY DIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: ?TransitionTimeasLowas70pS ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
ASRD740T	文件：23.93 Kbytes Page：3 Pages	GLASSPACKAGESTEPRECOVERYDIODE DESCRIPTION: TheASRD700SeriesofStepRecoveryDiodesareDesignedforGeneralPurposeVCOandSamplerApplications. FEATURESINCLUDE: ?TransitionTimeasLowas70pS ?HermeticGlassPackage	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AZT740	文件：197.54 Kbytes Page：4 Pages	HIGHCURRENTPHASECONTROL	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 東海半導(dǎo)體江蘇東海半導(dǎo)體股份有限公司	WXDH
BFP740	文件：38.66 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor ProductBrief TheBFP740isalinearverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.0VandcurrentsuptoIC=45	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：599.41 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.3682 Mbytes Page：28 Pages	LowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740	文件：1.78828 Mbytes Page：6 Pages	NPNTransistors ■Features ●HighgainultralownoiseRFtransistor ●Highmaximumstablegain ●Goldmetallizationforextrahighreliability ●150GHzfT-SiliconGermaniumtechnology ●OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz OutstandingnoisefigureF=0.85dBat6GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
BFP740ESD	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740ESD	文件：1.55917 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：157.87 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor NPNSiliconGermaniumRFTransistor ?HighgainultralownoiseRFtransistor ?Providesoutstandingperformancefor awiderangeofwirelessapplications upto10GHzandmore ?IdealforCDMAandWLANapplications ?OutstandingnoisefigureF=0.5dBat1.8GHz Outstandingnoise	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740F	文件：147.89 Kbytes Page：10 Pages	NPNSiliconGermaniumRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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BFP740FESD	文件：1.93887 Mbytes Page：29 Pages	RobustHighPerformanceLowNoiseBipolarRFTransistor ProductBrief TheBFP740FESDisaverylownoisewidebandNPNbipolarRFtransistor.ThedeviceisbasedonInfineon’sreliablehighvolumesilicongermaniumcarbon(SiGe:C)heterojunctionbipolartechnology.ThecollectordesignsupportsvoltagesuptoVCEO=4.2VandcurrentsuptoIC=45mA.	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BFP740FESD	文件：1.641 Mbytes Page：28 Pages	RobustLowNoiseSiliconGermaniumBipolarRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BLV740	文件：579.98 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET	BellingSHANGHAI BELLING CO., LTD. 上海貝嶺上海貝嶺股份有限公司	Belling
BRUS740	文件：55.14 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERYApproximately25AMPERESSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGES	edi Electronic devices inc.	edi
BT740	文件：1.72269 Mbytes Page：31 Pages	EnhancedClass1Bluetoothv2.1Module	LSTD Laird Tech Smart Technology	LSTD
BT740	文件：327.04 Kbytes Page：2 Pages	EnhancedClass1Bluetoothv2.1Module	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
ASRD740B
制造商：
ASI
制造商全稱：
ASI
功能描述：
GLASS PACKAGE STEP RECOVERY DIODE

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市永貝爾科技有限公司	ASRD740B	ASI	23+	原廠原包	19960	只做進(jìn)口原裝終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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更多ASRD740B供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-9 15:00:00

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