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ATP212分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

ATP212
廠商型號

ATP212
參數(shù)屬性

ATP212 封裝/外殼為ATPAK（2 引線 + 接片）；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)；產(chǎn)品描述：MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
功能描述

N-Channel Power MOSFET
MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK
封裝外殼

ATPAK（2 引線 + 接片）
文件大小

345.55 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-25 23:00:00

ATP212規(guī)格書詳情

ATP212屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的ATP212晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)分立式場效應(yīng)晶體管 (FET) 廣泛用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、固態(tài)照明及其他應(yīng)用，它們具有高頻開關(guān)特性，同時(shí)又能承載大電流，使其在這些應(yīng)用中具備一定優(yōu)勢。這類晶體管廣泛應(yīng)用于要求額定電壓為幾百伏或更低的應(yīng)用，如果超出該額定電壓值，則 IGBT 等其他器件更具競爭力。

N-Channel Power MOSFET

60V, 35A, 23mΩ, Single ATPAK

Features

? Low ON-resistance

? 4V drive

? Halogen free compliance

? Large current

? Slim package

? Protection diode in

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    ATP212-S-TL-H

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝：

    管件

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    35A（Tj）

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    ATPAK

  • 封裝/外殼：

    ATPAK（2 引線 + 接片）

  • 描述：

    MOSFET N-CH 60V 35A ATPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
NA/
27299
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
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