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BAP65LX分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BAP65LX
廠商型號(hào)

BAP65LX

參數(shù)屬性

BAP65LX 封裝/外殼為SOD-882;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

SOD-882

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 9:02:00

BAP65LX規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BAP65LX,315

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 二極管類型:

    PIN - 單

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    30V

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    0.37pF @ 20V,1MHz

  • 不同?If、F 時(shí)電阻:

    350 毫歐 @ 100mA,100MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    SOD-882

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOD2

  • 描述:

    RF DIODE PIN 30V 135MW SOD2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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