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BC847BV-TP

NPN Plastic-Encapsulate Transistors

Features ?EpitaxialDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(BC857BV) ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

BC847BW

NPNgeneralpurposetransistors

DESCRIPTION NPNtransistorinaSC70;SOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC856WandBC857W. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.65V). APPLICATIONS ?Generalpurposeswitchingandamplification.

PHIPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PHI

BC847BW

NPNSiliconAFTransistor(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門(mén)子德國(guó)西門(mén)子股份公司

BC847BW

NPNSiliconAFTransistors

NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BC847BW

NXP
SOT323

恩XP

相關(guān)企業(yè):深圳市瑞卓芯科技有限公司

恩XP

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    BC847BV-TP

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT 100mA 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
Micro
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N/A
908
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SOT-563 SOT-666
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更多BC847BV-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 10:19:00