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BC847CDW中文資料FUTUREWAFER數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BC847CDW
廠商型號

BC847CDW
功能描述

NPN Silicon Epitaxial General Purpose Transistors
絲印標識

1G
封裝外殼

SOT363
文件大小

2.41026 Mbytes
頁面數(shù)量

15 頁
生產(chǎn)廠商 FutureWafer Tech Co.,Ltd
企業(yè)簡稱

FUTUREWAFER

中文名稱

FutureWafer Tech Co.,Ltd官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二
更新時間

2025-2-14 22:59:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    BC847CDW

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 100mA 50V Dual NPN

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
23+
SOT3236
7350
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SOT363
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ON(安森美)
6000
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