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BC859C分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

BC859C
廠商型號

BC859C

參數(shù)屬性

BC859C 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB

功能描述

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

186.97 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Diotec Semiconductor
企業(yè)簡稱

DIOTEC德歐泰克

中文名稱

德歐泰克官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-14 11:12:00

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BC859C規(guī)格書詳情

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

? Power dissipation 250 mW

? Plastic case SOT-23

? Weight approx. 0.01 g

? Plastic material has UL classification 94V-0

? Standard packaging taped and reeled

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BC859C,235

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 5mA,100mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.1A TO236AB

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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