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BCW60C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BCW60C
廠商型號(hào)

BCW60C
參數(shù)屬性

BCW60C 封裝/外殼為T(mén)O-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3
功能描述

NPN General Purpose Amplifier
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

216.78 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

BILIN【銀河微電】

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 15:42:00
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BCW60C規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

● Low current(max.100mA).

● Low voltage（ max.32V） .

APPLICATIONS

● General purpose medium power amplifier.

● Switching appilication.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BCW60C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    550mV @ 1.25mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    20nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    250 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    125MHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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