BCW61D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BCW61D |
參數(shù)屬性 | BCW61D 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 |
功能描述 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
125.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Central Semiconductor Corp |
企業(yè)簡稱 |
Central |
中文名稱 | 美國中央半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-26 14:56:00 |
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BCW61D規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR BCW61B Series types are PNP Silicon Transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in a surface mount package, designed for low level, low noise applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BCW61DE6327HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
550mV @ 1.25mA,50mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
20nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
380 @ 2mA,5V
- 頻率 - 躍遷:
250MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-SOT23
- 描述:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
1822+ |
SOT-23 |
6852 |
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23+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-23 |
20000 |
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Nexperia/安世 |
20+ |
SOT-23 |
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JAT |
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SOT-23 |
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DIODES/INFINEON |
23+ |
SOT23-3 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP |
24+/25+ |
3000 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 |