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BCW65C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BCW65C
廠商型號(hào)

BCW65C

參數(shù)屬性

BCW65C 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3

功能描述

NPN Silicon AF Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

50.44 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-6-24 19:25:00

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BCW65C規(guī)格書詳情

NPN Silicon AF Transistor

? For general AF applications

? High current gain

? Low collector-emitter saturation voltage

? Complementary types: BCW67, BCW68 (PNP)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BCW65CLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    700mV @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 100mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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