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200MHz,35dBgainreverseamplifier Generaldescription HighperformanceamplifierinaSOT115Jpackage,operatingatavoltagesupplyof24V(DC). Featuresandbenefits ■Excellentlinearity ■Siliconnitridepassivation ■Ruggedconstruction ■Goldmetallizationensuresexcellentreliability ■35dBamplificationupto200 | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
HybridCATVamplifiermodule DESCRIPTION Highperformanceamplifieroperatingatavoltagesupplyof24VDCinaSOT115Jpackage. FEATURES ?Extremelylownoise ?Excellentlinearity ?Siliconnitridepassivation ?Ruggedconstruction ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability. APPLICATIONS ?Reverseamplifi | PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦 | Philips | ||
RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp | nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司 | nxp | ||
GuardsagainstaccidentaldisconnectionofComputers,PDU’s,ServersandmostNetworkDevices. | BURLAND Burland Technology Solutions | BURLAND | ||
SiliconMesaRectifiers FEATURES ?Glasspassivatedjunction ?Hermeticallysealedpackage ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Highvoltagefastrectificationdiode? | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
FastAvalancheSinterglassDiode | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
0.8AFASTRECOVERYHIGHVOLTAGEGLASSBODYRECTIFIER Features ●HermeticallySealedGlassBodyConstruction ●HighVoltageto1800VwithLowLeakage ●SurgeOverloadRatingto20APeak | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
FastAvalancheSinterglassDiode | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
FastAvalancheSinterglassDiode | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
FastAvalancheSinterglassDiode Features ?Glasspassivatedjunction ?Hermeticallysealedpackag Applications Highvoltagefastrectificationdiode | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
BD645,BD697,BD897,BDT63A,BDT65A,BDW93B,BDX33B,YZ25C,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
B-10
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
75
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
PHI |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
AO |
23+ |
SOIC-8 |
69820 |
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單! |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價(jià) | ||
NXP |
24+ |
TO-TO-220 |
37650 |
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證 |
詢價(jià) | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-220 |
80660 |
原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO-220 |
16900 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) |
