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BF888	文件：508.07 Kbytes Page：5 Pages	HighPerformanceBipolarNPNRFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
BGY888	文件：55 Kbytes Page：12 Pages	CATVamplifiermodule DESCRIPTION Hybridhighdynamicrangeamplifiermoduleoperatingwithavoltagesupplyof24VinaSOT115Jpackage.Thehighgainmoduleconsistsoftwocascadedstagesbothincascodeconfiguration. FEATURES ?Excellentlinearity ?Extremelylownoise ?Highgain ?Excellentreturnlosspr	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BGY888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888	文件：173.97 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888	文件：435.75 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A500WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Thetransistorisoptimizedfordigitalapplicationsandcandeliver110WaverageDVB-TbroadbandoverthefullUHFbandfrom470MHzto860MHz.Theexcellentruggednessof	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888A	文件：443.34 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness(VSWR≥40:1througha	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888A	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888A	文件：1.53792 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness(VSWR?40:1through	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888A(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888AS	文件：443.34 Kbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrialapplications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitterapplications. Featuresandbenefits ■Excellentruggedness(VSWR≥40:1througha	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BLF888AS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888AS	文件：1.53792 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness(VSWR?40:1through	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888B	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888B	文件：1.87329 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A650WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness ?Optimumthermalbeh	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888B(S)	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888BS	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司	nxp
BLF888BS	文件：1.87329 Mbytes Page：17 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A650WLDMOSRFpowertransistorforbroadcasttransmitterapplicationsandindustrial applications.Theexcellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalog transmitterapplications. Featuresandbenefits ?Excellentruggedness ?Optimumthermalbeh	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888D	文件：1.07778 Mbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDohertytransmitterapplications.The excellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitter applications. Featuresandbenefits ?Highefficiency ?Highpowergain ?Excellentruggedness(VSW	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon
BLF888DS	文件：1.07778 Mbytes Page：12 Pages	UHFpowerLDMOStransistor Generaldescription A600WLDMOSRFpowertransistorforbroadcastDohertytransmitterapplications.The excellentruggednessofthisdevicemakesitidealfordigitalandanalogtransmitter applications. Featuresandbenefits ?Highefficiency ?Highpowergain ?Excellentruggedness(VSW	AmpleonAmpleon USA Inc. 安譜隆	Ampleon

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晶體管資料

型號：
BD888
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
45V
最大電流允許值：
20A
最大工作頻率：
>50MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BD250,BD746,
最大耗散功率：
62.5W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-10
vtest：
45
htest：
50000100
atest：
20
wtest：
62.5

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳芯力源電子科技有限公司	BD888	N/A	23+	SMD	5177	現(xiàn)貨	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	BD889	NXP/ON/ST/FAIRCHILD	23+	TO-220	12888	原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢訂貨渠道。可提供大量庫存,詳	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	BD8900F-E2	ROHM	24+	SOP	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
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深圳市安富世紀電子有限公司	BD8900F-E2	ROHM	23+	SOP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
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更多BD888供應(yīng)商更新時間2025-1-7 10:30:00

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