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|---|---|---|---|---|
BDT88 | SILICON POWER TRANSISTOR SILICONPOWERTRANSISTOR TheBDT82–BDT84–BDT86–BDT88arePNPepitaxialbasetransistorsinaTO-220plasticenvelope. Theyareintendedforuseinaudiooutputstagesandgeneralamplifierandswitchingappications. NPNcomplementsareBDT81–BDT83–BDT85–BDT87. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDT88 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT82;-80V(Min)-BDT84; -100V(Min)-BDT86;-120V(Min)-BDT88 ?ComplementtoTypeBDT81/83/85/87 APPLICATIONS ?Designedforuseinaudioou | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BDT88 | isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT82;-80V(Min)-BDT84; -100V(Min)-BDT86;-120V(Min)-BDT88 ?ComplementtoTypeBDT81/83/85/87 APPLICATIONS ?Designedforuseinaudioou | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BDT88 | Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@Ic=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-60V(Min)-BDT82;-80V(Min)-BDT84; -100V(Min)-BDT86;-120V(Min)-BDT88 ?ComplementtoTypeBDT81/83/85/87 APPLICATIONS ?Designedforuseinaudiooutp | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BDT88 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
BDT88 | SILICON POWER TRANSISTORS | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BDT88 | Silicon PNP Power Transistors | SAVANTIC Savantic, Inc. | SAVANTIC | |
isc Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT82F;-80V(Min)-BDT84F; -100V(Min)-BDT86F;-120V(Min)-BDT88F ?ComplementtoTypeBDT81F/83F/85F/87F APPLICATIONS ?Designedforusein | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
Silicon PNP Power Transistors DESCRIPTION ?DCCurrentGain-hFE=40(Min)@IC=-5A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=-60V(Min)-BDT82F;-80V(Min)-BDT84F; -100V(Min)-BDT86F;-120V(Min)-BDT88F ?ComplementtoTypeBDT81F/83F/85F/87F APPLICATIONS ?Designedforusein | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
120V
- 最大電流允許值：
15A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SA1041,
- 最大耗散功率：
117W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
B-89
- vtest：
120
- htest：
999900
- atest：
15
- wtest：
117
詳細參數(shù)
- 型號：
BDT88
- 制造商：
ISC
- 制造商全稱：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
isc Silicon PNP Power Transistors
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價 | |||
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做進口原裝,終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
N/A |
23+ |
SMD |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-220 |
91528 |
詢價 | |||
NXP |
24+ |
TO-TO-220 |
35400 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
PHILIPS |
83+ |
25 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價優(yōu) |
詢價 | |||
PHI |
1738+ |
TO-220 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價 |
