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BDW83C	文件：147.55 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW83C	文件：115.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN power Darlington transistor Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：136.49 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PNpackage ?ComplementtotypeBDW84/84A/84B/84C/84D ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain APPLICATIONS ?Foruseinpowerlinearandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
BDW83C	文件：67.87 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheBDW83CisaSiliconEpitaxial-BaseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedecTO-218plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementarytypeisBDW84C. ■BDW83CISASTMicroelectronicsPREFERREDSALESTYPE ■COM	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：182.28 Kbytes Page：6 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith BDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84CandBDW84D ●150Wat25°CCaseTemperature ●15AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof750at3V,6A	POINN Power Innovations Ltd	POINN
BDW83C	文件：121.44 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON DARLINGTONS POWER TRANSISTORS NPNSILICONDARLINGTONSPOWERTRANSISTORS Theyaresiliconepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinJedec TO-218plasticpackage. Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryareBDW84,BDW84A,BDW84B,BDW84C,B	COMSET Comset Semiconductor	COMSET
BDW83C	文件：139.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ?CollectorCurrent-lc=15A ?HighDCCurrentGain-hFE=750(Min)@lc=6A ?ComplementtoTypeBDW84/A/B/C APPLICATIONS ?Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
BDW83C	文件：149.15 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
BDW83C	文件：282.24 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BDW83C	文件：120.59 Kbytes Page：5 Pages	NPN SILICON POWER DARLINGTONS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
BDW83C	文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C	文件：15.53 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
BDW83C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：TO-218-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN 100V 15A TO218	CentralCentral Semiconductor Corp 美國中央半導(dǎo)體	Central
BDW83C	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：剪切帶（CT）帶盒（TB）封裝/外殼：TO-247-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO247-3	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C_07	文件：115.65 Kbytes Page：8 Pages	NPN power Darlington transistor Description TheBDW83Cisanepitaxial-baseNPNpowermonolithicDarlingtontransistormountedinTO-247plasticpackage.Itisintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications. Features ■Highcurrentcapability ■Fastswitchingspeed ■HighDCcurrentgain Applications ■Linear	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C_02	文件：49.9 Kbytes Page：4 Pages	COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
BDW83C-TO218	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-218-3，TO-218AC 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個描述：TRANS NPN DARL 100V 15A TO218	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

晶體管資料

型號：
BDW83C
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_功率放大（L）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
100V
最大電流允許值：
15A
最大工作頻率：
>1MHZ
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BDV65B,BDV67A,FH9D,
最大耗散功率：
150W
放大倍數(shù)：
β>750
圖片代號：
B-62
vtest：
100
htest：
1000100
atest：
15
wtest：
150

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
BDW83C
制造商：
Central Semiconductor Corp
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
包裝：
散裝
晶體管類型：
NPN
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 6A，3V
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-218-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-218
描述：
TRANS NPN 100V 15A TO218

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	BDW83C	PH	24+	TO-3P	1		詢價
深圳市昌和盛利電子有限公司	BDW83C	POWER	23+	TO247	9526		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	BDW83C	STMicro.	23+	TO-247	7750	全新原裝優(yōu)勢	詢價
深圳市弘為電子有限公司	BDW83C	POWINV	24+	原廠封裝	8000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市豪邁興電子有限公司	BDW83C	STM	2339+	N/A	21322	公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價出售!強(qiáng)勢庫存!	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	BDW83C	BOURNS	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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深圳市賽爾通科技有限公司	BDW83C		23+	TO-3P	1		詢價
上海市鑫鴻達(dá)電子	BDW83C	STMicroelectronics	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價

更多BDW83C供應(yīng)商更新時間2025-1-11 16:30:00

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