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BFM505,115

Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包裝：卷帶（TR） 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

BFR505

NPN9GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION TheBFR505isannpnsiliconplanarepitaxialtransistor,intendedforapplicationsintheRFfrontendinwidebandapplicationsintheGHzrange,suchasanaloganddigitalcellulartelephones,cordlesstelephones(CT1,CT2,DECT,etc.),radardetectors,pagersandsatelliteTVtuners

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR505

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFR505T

NPN9GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT416(SC-75)package. FEATURES ?Lowcurrentconsumption ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Goldmetallizationensuresexcellentreliability ?SOT416(SC-75)package. APPLICATIONS Lowpoweramplifiers,oscillat

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFR505T

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFS505

NPN9GHzwidebandtransistor

DESCRIPTION NPNtransistorinaplasticSOT323envelope. Itisintendedforlowpoweramplifiers,oscillatorsandmixersparticularlyinRFportablecommunicationequipment(cellularphones,cordlessphones,pagers)upto2GHz. FEATURES ?Lowcurrentconsumption ?Highpowergain ?Lownois

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BFS505

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BFS505

NPN9GHzwidebandtransistor

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

BL505N

50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

BL505P

50AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforAutomotiveAlternators

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BFM505,115

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    2 NPN（雙）

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    8V

  • 頻率 - 躍遷：

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 功率 - 最大值：

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 5mA，6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    18mA

  • 工作溫度：

    175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    6-TSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    6-TSSOP

  • 描述：

    RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP
22+
SOP
9852
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NXP
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NXP
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NXP
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PHA
23+
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詢(xún)價(jià)
PHA
23+
原廠封裝
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現(xiàn)貨
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NXP USA Inc.
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6-TSSOP SC-88 SOT-363
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PHILIPS/飛利浦
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SOT-363
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PHILIPS/飛利浦
2022
SOT-363
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢(xún)
 詢(xún)價(jià)
更多BFM505,115供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 16:12:00

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