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BFP182R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFP182R
廠商型號(hào)

BFP182R

參數(shù)屬性

BFP182R 封裝/外殼為SOT-143R;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4

封裝外殼

SOT-143R

文件大小

87.74 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 11:22:00

BFP182R規(guī)格書詳情

BFP182R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFP182R晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

? For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1 mA to 20 mA

? fT = 8 GHz, NFmin = 0.9 dB at 900 MHz

? Pb-free (RoHS compliant) package

? Qualification report according to AEC-Q101 available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFP182RE7764HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    22dB

  • 功率 - 最大值:

    250mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 10mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-143R

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PG-SOT143-4-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143R-4

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Infineon/英飛凌
2023+
PG-SOT143-4
6000
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Infineon/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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INFINEON/英飛凌
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SOT-143SOT-23-4
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新進(jìn)庫存/原裝
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