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BFR30LT1G分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

BFR30LT1G
廠商型號

BFR30LT1G
參數(shù)屬性

BFR30LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 225MW SOT23
功能描述

JFET Amplifiers(N-Channel)
JFET N-CH 225MW SOT23
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

59.4 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-7 22:50:00
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BFR30LT1G規(guī)格書詳情

BFR30LT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的BFR30LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場效應晶體管 (JFET) 是用作電子控制開關、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當極性的電勢差就會增加電流流動的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動的電流會更少。由于電荷流過源極與漏極端子之間的半導體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

JFET Amplifiers

N?Channel

Features

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BFR30LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 包裝：

    散裝

  • FET 類型：

    N 通道

  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：

    5pF @ 10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    JFET N-CH 225MW SOT23

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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