BG3130分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BG3130 |
參數屬性 | BG3130 封裝/外殼為6-VSSOP,SC-88,SOT-363;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363 |
功能描述 | DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
封裝外殼 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
168.43 Kbytes |
頁面數量 |
6 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-2-4 17:10:00 |
BG3130規(guī)格書詳情
BG3130屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的BG3130晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號:
BG3130H6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
2 N-通道(雙)
- 頻率:
800MHz
- 增益:
24dB
- 額定電流(安培):
25mA
- 噪聲系數:
1.3dB
- 封裝/外殼:
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
- 供應商器件封裝:
PG-SOT363-PO
- 描述:
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT363 |
159622 |
明嘉萊只做原裝正品現貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SC70-6 |
999999 |
原裝正品現貨量大可訂貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SC706 |
7906200 |
一站配齊,原盒原包現貨原廠一手渠道聯系 |
詢價 | ||
SOT-363 |
23+ |
NA |
15659 |
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詢價 | ||
Infineon |
21+ |
SOT363 |
6500 |
全新原裝現貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
22+23+ |
SOT-363 |
41968 |
絕對原裝正品現貨,全新深圳原裝進口現貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
SOT-363 |
68900 |
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INFINEON/英飛凌 |
24+ |
SOT363 |
2755 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT-363SOT-323-6 |
66200 |
新進庫存/原裝 |
詢價 | ||
Infineon/英飛凌 |
2019+ |
SC70-6 |
36000 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
詢價 |