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BLF578XRS分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF578XRS
廠商型號

BLF578XRS

參數(shù)屬性

BLF578XRS 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

1.21804 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 23:00:00

BLF578XRS規(guī)格書詳情

BLF578XRS屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF578XRS晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial

applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the

BLF578 using Ampleon's XR process to provide maximum ruggedness capability in the

most severe applications without compromising the RF performance.

Features and benefits

? Typical pulsed performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an

IDq of 40 mA, a tp of 100 ?s with ? of 20 :

? Output power = 1400 W

? Power gain = 23.5 dB

? Efficiency = 69

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF578XRS,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    225MHz

  • 增益:

    23.5dB

  • 功率 - 輸出:

    1400W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B

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