BLF578XRS分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BLF578XRS |
參數(shù)屬性 | BLF578XRS 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT-539B |
文件大小 |
1.21804 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-25 23:00:00 |
BLF578XRS規(guī)格書詳情
BLF578XRS屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF578XRS晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 1400 W extremely rugged LDMOS power transistor for broadcast and industrial
applications in the HF to 500 MHz band. This product is an enhanced version of the
BLF578 using Ampleon's XR process to provide maximum ruggedness capability in the
most severe applications without compromising the RF performance.
Features and benefits
? Typical pulsed performance at frequency of 225 MHz, a supply voltage of 50 V and an
IDq of 40 mA, a tp of 100 ?s with ? of 20 :
? Output power = 1400 W
? Power gain = 23.5 dB
? Efficiency = 69
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Designed for broadband operation (HF to 500 MHz)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
? Broadcast transmitter applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLF578XRS,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
225MHz
- 增益:
23.5dB
- 功率 - 輸出:
1400W
- 封裝/外殼:
SOT-539B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT539B
- 描述:
RF FET LDMOS 110V 23.5DB SOT539B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP(恩智浦) |
23+ |
NA/ |
8735 |
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