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BLL8H1214L-250分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLL8H1214L-250
廠商型號(hào)

BLL8H1214L-250

參數(shù)屬性

BLL8H1214L-250 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A

功能描述

LDMOS L-band radar power transistor
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

941.99 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

AMPLEON安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-30 11:09:00

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BLL8H1214L-250規(guī)格書詳情

BLL8H1214L-250屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLL8H1214L-250晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

250 W LDMOS power transistor intended for L-band radar applications in the 1.2 GHz to

1.4 GHz range.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated dual side ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (1.2 GHz to 1.4 GHz)

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances

(RoHS)

Applications

? L-band power amplifiers for radar applications in the 1.2 GHz to 1.4 GHz frequency

range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLL8H1214L-250U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.2GHz ~ 1.4GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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