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BLP9H10S-350A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLP9H10S-350A |
| 參數(shù)屬性 | BLP9H10S-350A 封裝/外殼為OMP-780-4F-1；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：BLP9H10S-350AY/OMP-780/TRAYDP |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | OMP-780-4F-1 |
| 文件大小 |
1.84626 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
16 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-12 11:34:00 |
BLP9H10S-350A規(guī)格書(shū)詳情
BLP9H10S-350A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP9H10S-350A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
350 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station
applications at frequencies from 600 MHz to 960 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Low thermal resistance providing excellent thermal stability
? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
? Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability
? Internal integrated wideband input for ease of use
? Integrated double sided ESD protection
? For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
Applications
? RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 600 MHz to
960 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLP9H10S-350AY
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
600MHz ~ 960MHz
- 增益：
18.6dB
- 額定電流（安培）：
1.4μA
- 功率 - 輸出：
350W
- 封裝/外殼：
OMP-780-4F-1
- 供應(yīng)商器件封裝：
OMP-780-4F-1
- 描述：
BLP9H10S-350AY/OMP-780/TRAYDP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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