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BMIS-205-F	文件：567.4 Kbytes Page：3 Pages	MicrowaveAbsorberMicrowaveAbsorber	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
BPR-205F	文件：313.89 Kbytes Page：6 Pages	LED	BRIGHTBRIGHT LED ELECTRONICS CORP 步來特電器寧波步來特電器有限公司	BRIGHT
BR205	文件：610.12 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor5VSystemIntermediateBus Description TheBR205isathintypePOLconvertermoduleswithanindustrystandardexteriorshapeandfootprint,responsivetoveryhighspeedloadsandcompatiblewithceramiccapacitors. FeaturesandBenefits ?Industrystandardfootprint ?Improvedsoldering:gold-platedpadsan	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
BR205	文件：610.56 Kbytes Page：12 Pages	POLConverterModulefor5VSystemIntermediateBus	SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會社	Sanken
BRUS205	文件：64.18 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BRUS205F	文件：64.18 Kbytes Page：2 Pages	ULTRA-FASTRECOVERYSINGLE-PHASE,FULL-WAVEBRIDGESHEATSINKCHASSISP.C.BOARDMOUNTING	edi Electronic devices inc.	edi
BSH205	文件：143.56 Kbytes Page：7 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode,logiclevel,field-effectpowertransistor.Thisdevicehaslowthresholdvoltageandextremelyfastswitchingmakingitidealforbatterypoweredapplicationsandhighspeeddigitalinterfacing. FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswit	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BSH205	文件：231.88 Kbytes Page：8 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor FEATURES ?Verylowthresholdvoltage ?Fastswitching ?Logiclevelcompatible ?Subminiaturesurfacemount package GENERALDESCRIPTION P-channel,enhancementmode, logiclevel,field-effectpower transistor.Thisdevicehaslow thresholdvoltageandextremely fastswitchingmakingi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司	NEXPERIA
BSL205N	文件：452.35 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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