BQ4011LY集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
BQ4011LY |
參數(shù)屬性 | BQ4011LY 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP |
功能描述 | 32 k ? 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V) |
封裝外殼 | 28-DIP 模塊(0.61",15.49mm) |
文件大小 |
353.95 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Texas Instruments |
企業(yè)簡稱 |
TI1【德州儀器】 |
中文名稱 | 德州儀器官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-24 22:30:00 |
BQ4011LY規(guī)格書詳情
BQ4011LY屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4011LY存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BQ4011LYMA-70N
- 制造商:
Texas Instruments
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
NVSRAM
- 技術(shù):
NVSRAM(非易失性 SRAM)
- 存儲容量:
256Kb(32K x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
70ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)
- 供應(yīng)商器件封裝:
28-DIP 模塊(18.42x37.72)
- 描述:
IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
2020+ |
DIP28 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
TI/TEXAS |
23+ |
28-DIPMODUL |
8931 |
詢價(jià) | |||
BQ |
21+ |
PDIP |
1 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
NA |
559 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
TI |
23+ |
28-DIP |
36800 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
Texas Instruments |
23+/24+ |
28-DIP |
8600 |
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨 |
詢價(jià) | ||
TI |
2023+ |
28-DIPMODUL |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Texas Instruments |
23+ |
28-DIP 模塊18.42x37.72 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Texas Instruments |
23+ |
28-DIP 模塊18.42x37.72 |
7300 |
專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TI/德州儀器 |
2021+ |
DIP |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) |