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BQ4011YMA-70N集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4011YMA-70N
廠商型號(hào)

BQ4011YMA-70N

參數(shù)屬性

BQ4011YMA-70N 封裝/外殼為28-DIP 模塊(0.61",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

功能描述

32Kx8 Nonvolatile SRAM

封裝外殼

28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

文件大小

755.04 Kbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI德州儀器

中文名稱

美國德州儀器公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-9 22:30:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BQ4011YMA-70N

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    28-DIP 模塊(0.61",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    28-DIP 模塊(18.42x37.72)

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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