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BR34E02FVT-3E2集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

BR34E02FVT-3E2
廠商型號(hào)

BR34E02FVT-3E2

參數(shù)屬性

BR34E02FVT-3E2 封裝/外殼為8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

功能描述

Serial EEPROM Series Standard EEPROM Plug & Play EEPROM

封裝外殼

8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

文件大小

791.97 Kbytes

頁面數(shù)量

33

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-22 23:00:00

BR34E02FVT-3E2規(guī)格書詳情

General Description

BR34E02-3 is 256×8 bit Electrically Erasable PROM (Based on Serial Presence Detect)

Features

256×8 bit Architecture Serial EEPROM

Wide Operating Voltage Range: 1.7V to 5.5V

Two-Wire Serial Interface

Self-Timed Erase and Write Cycle

Page Write Function (16byte)

Write Protect Mode

Settable Reversible Write Protect Function : 00h-7Fh

Write Protect 1 (Onetime Rom) : 00h-7Fh

Write Protect 2 (Hardwire WP PIN) : 00h-FFh

Low Power consumption

Write (at 1.7V) : 0.4mA (typ)

Read (at 1.7V) : 0.1mA (typ)

Standby (at 1.7V) : 0.1μA (typ)

Prevention of Write Mistake

Write Protect Feature (WP pin)

Prevention of Write Mistake at Low Voltage

High Reliability Fine Pattern CMOS Technology

More than 1 million write cycles

More than 40 years data retention

Noise Reduction Filtered Inputs in SCL / SDA

Initial delivery state FFh

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BR34E02FVT-3E2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    EEPROM

  • 技術(shù):

    EEPROM

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Kb(256 x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    I2C

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-TSSOP-B

  • 描述:

    IC EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOPB

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM(羅姆)
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