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BSM10GD120DN2

BSM10GD120DN2

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PDF上傳者:蘇州銀邦電子科技有限公司

BSM10GD120DN2

Power module

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM10GD120DN2E3224

Power module

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM10GD120DN2E3224

Power module;

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Package:模塊;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:IGBT MODULE 1200V 15A 80W

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSM10GD120DN2E3224BPSA1

Package:模塊;包裝:散裝 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述:LOW POWER ECONO AG-ECONO2A-211

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    BSM10GD120DN2

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 1200V 10A FL BRIDGE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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24+
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更多BSM10GD120DN2供應(yīng)商 更新時間2025-7-31 14:28:00