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BSM200GAL120DN2中文資料西門(mén)子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
BSM200GAL120DN2 |
| 功能描述 | IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Package with insulated metal base plate) |
| 文件大小 |
76.86 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Siemens Semiconductor Group |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
SIEMENS【西門(mén)子】 |
| 中文名稱(chēng) | 德國(guó)西門(mén)子股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-28 18:19:00 |
| 人工找貨 | BSM200GAL120DN2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BSM200GAL120DN2規(guī)格書(shū)詳情
IGBT Power Module
? Single switch with chopper diode
? Package with insulated metal base plate
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
BSM200GAL120DN2
- 功能描述：
IGBT 模塊 1200V 200A GAL CH
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies
- 產(chǎn)品：
IGBT Silicon Modules
- 配置：
Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
600 V
- 集電極—射極飽和電壓：
1.95 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
230 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
445 W
- 最大工作溫度：
+ 125 C
- 封裝/箱體：
34MM
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
EUPEC |
專(zhuān)業(yè)模塊 |
MODULE |
8513 |
模塊原裝主營(yíng)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票 |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
24+ |
2173 |
公司大量全新正品 隨時(shí)可以發(fā)貨 |
詢(xún)價(jià) | |||
EUPEC/歐派克 |
19+ |
MODULE |
1290 |
主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126 |
詢(xún)價(jià) | ||
原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專(zhuān)營(yíng)模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
200A/1200V/I |
50 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
22+ |
模塊 |
8000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
23+ |
模塊 |
420 |
全新原裝正品,量大可訂貨!可開(kāi)17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢(xún)價(jià) | ||
EUPEC |
24+ |
200A1200V1 |
65 |
詢(xún)價(jià) | |||
eupec |
模塊 |
1520 |
全新原裝正品 數(shù)量多可訂貨 一級(jí)代理優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) | |||
EUPEC |
2024+ |
模塊 |
32560 |
原裝優(yōu)勢(shì)絕對(duì)有貨 |
詢(xún)價(jià) |
