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BT149E	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149G	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
BT149G	文件：316.12 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半導(dǎo)體瑞能半導(dǎo)體科技股份有限公司	WEEN
BTS149	文件：309.41 Kbytes Page：10 Pages	SmartLowsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS?chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectedfunctions. Features ?LogicLevelInput ?InputProtection(ESD) ?Thermalshutdownwithlatch ?Overloadprotection ?Shortcircuitprotection ?Overvoltagepro	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
C-149A-DFB-PB-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE Source Photonics	SOURCE
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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
BT149D AMO
功能描述：
SCR AMMORA SCR
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics 最大轉(zhuǎn)折電流
IBO：
480 A 額定重復(fù)關(guān)閉狀態(tài)電壓
VDRM：
600 V
關(guān)閉狀態(tài)漏泄電流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
開啟狀態(tài)：
RMS
正向電壓下降：
1.6 V
柵觸發(fā)電壓(Vgt)：
1.3 V
最大柵極峰值反向電壓：
5 V
柵觸發(fā)電流(Igt)：
35 mA 保持電流（Ih
最大值）：
75 mA
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
TO-220
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	BT149D112	WEEN	1809+	TO-92-3	6675	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
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更多BT149D AMO供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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