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BUP311D

HighSpeed 2-Technology

?Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection ?2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUP311D

IGBT With Antiparallel Diode Preliminary data sheet

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BUZ311

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmode)

?Nchannel ?Enhancementmode

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BUZ311

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1000V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

C311

MONOLITHICWIDEBANDCRTDISTORTIONCORRECTIONDEVICE

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

C311

MOLOLITHICWIDEBANDCRTDISTORTIONCORRECTIONDEVICE

FEATURES ?16or24pinceramicdip ?Minimumofexternalcomponentsrequired ?Easilyadjustsforyokeerrors ?Accuracybetterthan0.5Max(C312) ?Bandwidthcompatiblewith10MHzsystems ?Bothgeometryandfocusavailable

INTRONICS

Intronics Power, Inc.

C311C

PRECISIONVOLTAGECOMPARATORS

SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

C-311E

SINGLEDIGITDISPLAY

[Para-Light] C/A-301X,C/A-311XSINGLEDIGITDISPLAY

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

C-311E-A

0.3INCHSINGLEDIGITDISPLAY

PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD.

光鼎電子光鼎電子股份有限公司

C-311G

SINGLEDIGITDISPLAY

[Para-Light] C/A-301X,C/A-311XSINGLEDIGITDISPLAY

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BUP311D

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 1200V, 20A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
infineon
24+
TO-220(218)
13750
詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFIEON
2020+
TO-3P
5000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-218
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
INFINEON
TO-218
68900
原包原標(biāo)簽100%進(jìn)口原裝常備現(xiàn)貨!
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
TO-218
288939
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
07+
TO-218
5000
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
Infineon/英飛凌
23+
20000
全新、原裝、現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
22+
TO-218
20000
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單支持
 詢價(jià)
更多BUP311D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 13:00:00

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