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BUR52 | isc Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(SUS)=250V(Min) ?HighCurrentCapability ?LowSaturationVoltage :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=25A APPLICATIONS ?Designedforswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorsinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■NPNTRANSISTOR ■MAINTAINSGOODSWITCHINGPERFORMANCEEVENWITHOUTNEGATIVEBASEDRIVE APPLI | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorsinmodifiedJedecTO-3metalcase,intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. ■SGS-THOMSONPREFERREDSALESTYPE ■NPNTRANSISTOR ■MAINTAINSGOODSWITCHINGPERFORMANCEEVEN | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS LINEARANDSWITCHINGINDUSTRIALEQUIPMENT TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | |
BUR52 | HIGH CURRENT NPN SILICON | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB | |
HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTORS TheBUR52isasiliconmultiepitaxialplanarNPNtransistorinmodifiedjedecTO-3metalcase, Intentedforuseinswitchingandlinearapplicationsinmilitaryandindustrialequipment. CompliancetoRoHS. | COMSET Comset Semiconductor | COMSET | ||
HIGH CURRENT NPN SILICON | SEME-LAB Seme LAB | SEME-LAB |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
350V
- 最大電流允許值：
60A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
350W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
350
- htest：
999900
- atest：
60
- wtest：
350
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BUR52
- 功能描述：
兩極晶體管 - BJT DISC BY STM 08/01 TO-3 NPN PWR DARL
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO：
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST |
24+ |
TO-3 |
200 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
CAN |
9680 |
價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來(lái)電查詢 |
詢價(jià) | ||
ST意法 |
21+ |
CAN |
12588 |
原裝正品,量大可定 |
詢價(jià) | ||
SGS |
23+ |
2158 |
詢價(jià) | ||||
ST |
2013 |
CAN |
30 |
全新 |
詢價(jià) | ||
SEMELAB |
2021+ |
TO-3 |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) | ||
NS |
22+ |
TO-3 |
6000 |
全新原裝品牌專營(yíng) |
詢價(jià) | ||
SGS |
23+ |
原廠封裝 |
5177 |
現(xiàn)貨 |
詢價(jià) |
