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C0603C102J5GECAUTO

ESD SMD Auto C0G, Ceramic, Electro Static Discharge, 1000 pF, 5, 50 VDC, C0G, SMD, MLCC, Temperature Stable, Electro Static Discharge, Automotive Grade, 0603

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5GECAUTO

Package：0603（1608 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 0603

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5GECAUTO

Package：0603（1608 公制）；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：電容器 陶瓷電容器 描述：CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 0603

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5GECTU

ESDSMDCommC0G,Ceramic,ElectroStaticDischarge,1000pF,5,50VDC,C0G,SMD,MLCC,TemperatureStable,ElectroStaticDischarge,ClassI,0603

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5HACTU

Ceramic,150C-(CxxxxC),1000pF,5,50V,0603,X8R,SMD,MLCC,HighTemperature,Ultra-Stable

KEMETKEMET Corporation

基美基美公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) BroadbandHighLinearityAmplifier TheMMG3001NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissu

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0-6000MHz,15dB17dBmInGaPHBT TheMMG3010NT1isaGeneralPurposeAmplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small-signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6000MH

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,18.5dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3008NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,15dB15dBmInGaPHBTGPA TheMMG3011NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

C0603C102J5RAC

HeterojunctionBipolarTransistor(InGaPHBT)

0--6000MHz,15dB18dBmInGaPHBTGPA TheMMG3009NT1isageneralpurposeamplifierthatisinternallyinputandoutputmatched.ItisdesignedforabroadrangeofClassA,small--signal,highlinearity,generalpurposeapplications.Itissuitableforapplicationswithfrequenciesfrom0to6

nxpNXP Semiconductors

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產品屬性

  • 產品編號：

    C0603C102J5GECAUTO

  • 制造商：

    KEMET

  • 類別：

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列：

    ESD SMD Auto C0G

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差：

    ±5%

  • 電壓 - 額定：

    50V

  • 溫度系數(shù)：

    C0G，NP0

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 125°C

  • 特性：

    低 ESL 型

  • 等級：

    AEC-Q200

  • 應用：

    汽車級，ESD 保護

  • 安裝類型：

    表面貼裝，MLCC

  • 封裝/外殼：

    0603（1608 公制）

  • 大小 / 尺寸：

    0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm）

  • 厚度（最大值）：

    0.034"（0.87mm）

  • 描述：

    CAP CER 1000PF 50V C0G/NP0 0603

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
KEMET(基美)
23+
0603
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更多C0603C102J5GECAUTO供應商 更新時間2025-2-21 16:02:00

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