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CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=175mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=185mΩ@VGS=5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CET

CED12N10L

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?DT-TrenchPowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?100RgTested APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

CED12N10L

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CET-MOS

CED12N10L

N Channel MOSFET

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CET

CEDM7001

CENTERL
SOT883

CENTERL

技術(shù)參數(shù)

  • BVDSS(V)：

    100

  • Rds(on)mΩ@10V：

    175

  • Rds(on)mΩ@5V：

    185

  • ID(A)：

    11

  • Qg(nC)@10V(typ)：

    12

  • RθJC(℃/W)：

    3.5

  • Pd(W)：

    43

  • Configuration：

    Single

  • Polarity：

    N

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CET/華瑞
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CET/華瑞
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CET/華瑞
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VBsemi
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VBsemi(臺(tái)灣微碧)
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TO-251
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VBSEMI/臺(tái)灣微碧
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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CET/華瑞
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原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
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原裝正品，支持實(shí)單
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CET
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TO-252
100
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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VBsemi/臺(tái)灣微碧
23+
TO-251
28000
原裝正品
 詢價(jià)
更多CED12N10L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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