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CEP22N06

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 60V,21.8A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEB22N06

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 60V,21.8A,RDS(ON)=50mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=60mW@VGS=5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

NTB22N06

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTB22N06L

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTP22N06

N??hannelEnhancement??odeSiliconGate

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NTP22N06L

N??hannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

STK22N06

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.048? ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100°C ■LOWGATECHARGE ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多CEP22N06供應(yīng)商 更新時間2025-3-17 16:20:00

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