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CGHV1J025D

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

Description Wolfspeed’sCGHV1J025Disahighvoltagegalliumnitride(GaN)HighElectron MobilityTransistor(HEMT)onasiliconcarbidesubstrate,usinga0.25μmgate lengthfabricationprocess.ThisGaN-on-SiCproductofferssuperiorhighfrequency, highefficiencyfeatures.Itisidealfor

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

CGHV1J025D

25 W, 18.0 GHz, GaN HEMT Die

CreeCree, Inc

科銳

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更多CGHV1J025D供應(yīng)商 更新時間2025-2-4 14:26:00

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