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CMT18N20	文件：199.32 Kbytes Page：8 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
CMT18N20N220	文件：199.32 Kbytes Page：8 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
FDD18N20LZ	文件：1.01032 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FDD18N20LZ	文件：824.63 Kbytes Page：6 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features ?VDS=200V,ID=24A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDD18N20LZ	文件：1.16307 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelUniFETTMMOSFET200V,16A,125m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP18N20F	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP18N20F	文件：689.97 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET200V,18A,0.14廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP18N20F	文件：332.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDP18N20F	文件：296.15 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF18N20FT	文件：323.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.14Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF18N20FT	文件：689.97 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET200V,18A,0.14廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF18N20FT	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FIR18N20PG	文件：4.10949 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FKD18N20	文件：707.57 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch200VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKD18N20isthehighestperformance trenchN-chMOSFETswithextremehighcell density,whichprovideexcellentRDSONandgate chargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKD18N20meettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguaranteedwith	FETEKFETek Technology Corp. 臺灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
FKH18N20	文件：457.4 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch200VFastSwitchingMOSFETs Features ?AdvancedTrenchMOSTechnology ?LowGateCharge ?100EASGuaranteed ?GreenDeviceAvailable Applications ?LoadSwitch ?LEDApplications ?NetworkingApplications ?QuickCharger	FETEKFETek Technology Corp. 臺灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
FKP18N20	文件：700.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Ch200VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKP18N20isthehighestperformancetrench N-chMOSFETswithextremehighcelldensity, whichprovideexcellentRDSONandgatecharge formostofthesynchronousbuckconverter applications. TheFKP18N20meettheRoHSandGreen Productrequirement,100EASguaranteedwith f	FETEKFETek Technology Corp. 臺灣東沅東沅科技股份有限公司	FETEK
FTP18N20	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
HY18N20D	文件：242.03 Kbytes Page：4 Pages	200V/18AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY18N20T	文件：242.94 Kbytes Page：4 Pages	200V/18AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
LMAK18N20	文件：1.43631 Mbytes Page：6 Pages	200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
CMT18N20
功能描述：
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	CMT18N20	CET/華瑞	23+	TO-	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	CMT18N20	CET	22+	TO-	6000	十年配單,只做原裝	詢價
易創(chuàng)佳業(yè)科技（深圳）有限公司	CMT18N20	CET	23+	TO-	6000	原裝正品，支持實單	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	CMT18N20	CET	22+	TO-	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	CMT18N20	CET	24+	TO-	12300	獨立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費試樣正品保證	詢價
綠盛電子(香港)有限公司	CMT18N20CMT05N50	CHAMPION	2015+	SOP/DIP	19889	一級代理原裝現(xiàn)貨,特價熱賣!	詢價
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	CMT1-8-R		24+	N/A	65000	一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇	詢價
深圳市顯勝光電科技有限公司	CMT1922-0000-000N0B0A30E	CREE LED			20000		詢價

更多CMT18N20供應(yīng)商更新時間2025-1-9 14:30:00

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