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CMUDW6001

SURFACE MOUNT ULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE

75V,250mAUltraLowLeakageSwitchingDiodeintheSOT-523Wpackage CentralSemiconductor’sCMUDW6001isa75V,250mAultralowleakagediodepackagedintheSOT-523Wsurfacemountcase.TheSOT-523Wwasdesignedwithgull-wingleadsasanalternativetotheflatleadsoftheSOT-523package.Th

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CMUDW6001

75V, 250mA Ultra Low Leakage Switching Diode in the SOT-523W package

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CMUDW6001_15

SURFACE MOUNT ULTRA LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODE

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CMUDW6001 TR

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SURFACE MOUNT DIODE-ULTRA LOW LE

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CMXD6001

SUPERmini.TRIPLEISOLATEDSURFACEMOUNTLOWLEAKAGESWITCHINGDIODE

DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMXD6001typecontainsthree(3)IsolatedSiliconSwitchingDiodes,manufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinaSUPERmini?surfacemountpackage,designedforswitchingapplicationsrequiringextremelylowleakage.MarkingcodeisX01.

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

CPH6001

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

Features ?Highgain:|S21e|2=11dBtyp(f=1GHz). ?Highcutofffrequency:fT=6.7GHztyp. ?Smallandslim6-pinpackage. ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax).

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

CPH6001A

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorHigh-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

Features ?Highgain:|S21e|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

CPH6001A

RFTransistor

Features ?Highgain:|S21e|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

CPH6001A

High-FrequencyLow-NoiseAmplifierApplications

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社

CPH6001A-TL-E

RFTransistor

Features ?Highgain:|S21e|2=11dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=6.7GHztyp ?Smallandslim6-pinpackage ?Largeallowablecollectordissipation(800mWmax)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    CMUDW6001

  • 功能描述：

    二極管 - 通用，功率，開關(guān) UltraLow Leak Diode SMD

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 產(chǎn)品：

    Switching Diodes

  • 峰值反向電壓：

    600 V

  • 正向連續(xù)電流：

    200 A

  • 最大浪涌電流：

    800 A

  • 恢復(fù)時(shí)間：

    2000 ns

  • 正向電壓下降：

    1.25 V

  • 最大反向漏泄電流：

    300 uA

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    ISOTOP

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
CENTRAL SEMICONDUCTOR
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更多CMUDW6001供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-12 16:20:00

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